型號: | ATP204 |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 100 A, 30 V, 0.0056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | HALOGEN FREE, ATPAK-3 |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 256K |
代理商: | ATP204 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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ATP213 | 50 A, 60 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
ATP213 | 50 A, 60 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
ATP218 | 100 A, 30 V, 0.0038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
ATP218TL | 100 A, 30 V, 0.0038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
ATP301 | 28 A, 100 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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ATP204_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
ATP204SM | 功能描述:CRYSTAL 20.480 MHZ 20PF SMD RoHS:否 類別:晶體和振蕩器 >> 晶體 系列:ATP-SM 標準包裝:1 系列:ABLS2 類型:MHz 晶體 頻率:3.579545MHz 頻率穩定性:±30ppm 頻率公差:±30ppm 負載電容:18pF ESR(等效串聯電阻):180 歐姆 工作模式:基諧 工作溫度:-40°C ~ 85°C 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:HC49/US 尺寸/尺寸:0.449" L x 0.185" W(11.40mm x 4.70mm) 高度:0.130"(3.30mm) 包裝:剪切帶 (CT) 產品目錄頁面:1683 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:535-9855-1 |
ATP204-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
ATP206 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
ATP206_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |