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參數資料
| 型號： | AV8550S |
| 廠商： | Avic Technology |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進步黨外延硅晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | AV8550S |
@vic
AV
8 5 5 0 S PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
QW-R201-012,A
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT
SMALL SIGNAL PNP
TRANSISTOR
FEATURES
*Collector current up to 700mA
*Collector-Emitter voltage up to 20 V
*Complimentary to 8050S
APPLICATIONS
*Class B push-pull audio amplifier
*General purpose applications
TO-92
1
1: EMITTER 2: COLLECTOR 3: BASE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
( Ta=25
°
C ,unless otherwise specified )
PARAMETERS
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector dissipation(Ta=25
°
C
)
Collector current
Junction Temperature
Storage Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25
°
C,unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
Collector-base breakdown voltage
BV
CBO
Collector-emitter breakdown voltage
BV
CEO
Emitter-base breakdown voltage
BV
EBO
Collector cut-off current
I
CBO
Emitter cut-off current
I
EBO
DC current gain(note)
hFE
1
hFE2
hFE3
Collector-emitter saturation voltage
V
CE
(sat)
Base-emitter saturation voltage
V
BE
(sat)
Base-emitter saturation voltage
V
BE
Current gain bandwidth product
Output capacitance
Cob
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Pc
Ic
T
j
T
STG
RATING
-30
-20
-5
1
-700
150
-65 ~ +150
UNITS
V
V
V
W
mA
°
C
°
C
TEST CONDITIONS
Ic=-100
μ
A,I
E
=0
Ic=-1mA,I
B
=0
I
E
=-100
μ
A,Ic=0
V
CB
=-30V,I
E
=0
V
EB
=-5V,Ic=0
V
CE
=-1V,Ic=-1mA
V
CE
=-1V,Ic=-150 mA
V
CE
=-1V,Ic=-500mA
Ic=-500mA,I
B
=-50mA
Ic=500mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-1V,Ic=-10mA
V
CE
=-10V,Ic=-50mA
V
CB
=10V,I
E
=0
f=1MHz
MIN
-30
-20
-5
100
120
40
100
TYP
110
MAX
-1
-100
400
UNIT
V
V
V
uA
nA
-0.5
-1.2
-1.0
V
V
V
f
T
MHz
pF
9.0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| AV87-XX | 制造商:ATM 制造商全稱:ATM 功能描述:AV/AF87 ATTENUATOR |
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