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參數資料
| 型號： | AV9012 |
| 廠商： | Avic Technology |
| 英文描述： | TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors |
| 中文描述： | 至92塑料封裝晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | AV9012 |
@vic
AV9012
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
Copyright Avic Electronics Corp.
1
Website:
http://www.avictek.com
AV9012 TRANSISTOR
（
PNP
）
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 0.625 W
（
Tamb=25
℃）
Collector current
I
CM
: -0.5 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: -40 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
，
T
stg
: -55
℃
to +150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
（
Tamb=25
℃
unless otherwise specified
）
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)
CBO
Ic= -100
μ
A
，
I
E
=0
-40
V
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)
CEO
Ic= -0. 1 mA
，
I
B
=0
-25
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)
EBO
I
E
= -100
μ
A
，
I
C
=0
-5
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=-40 V I
E
=0
-0.1
μ
A
Collector cut-off current
I
CEO
V
CE
=- 20 V I
B
=0
-0.2
μ
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= - 5 V
，
I
C
=0
-0.1
μ
A
H
FE
（
1
）
V
CE
= -1 V, I
C
= -50 mA
64
300
DC current gain
H
FE
（
2
）
V
CE
= -1V, I
C
=-500 mA
40
Collector-emitter saturation voltage
V
CE
(sat)
I
C
=-500 mA, I
B
=-50 mA
-0.6
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE
(sat)
I
C
=-500mA,I
B
=-50 mA
-1.2
V
Base-emitter voltage
V
EB
I
E
=-100mA
-1.4
V
Transition frequency
f
T
V
CE
=- 6 V, I
C
= -20 mA
f =
30MHz
150
MHz
CLASSIFICATION OF HFE(1)
Rank
D
E
F
G
H
I
Range
64-91
78-112
96-135
112-166
144-202
190-300
1
2
3
TO—92
1. EMITTER
2. BASE
3.COLLECTOR
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AV9014 | TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors |
| AV9018LT1 | SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors |
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| AV965 | TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AV9012LT1 | 制造商:AVICTEK 制造商全稱:AVICTEK 功能描述:SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors |
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