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BSC889N03MSGATMA1

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  • 封裝
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  • BSC889N03MSGATMA1
    BSC889N03MSGATMA1

    BSC889N03MSGATMA1

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質：營業執照

  • 6000

  • INFINEO

  • TDSON8

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現貨供應

  • BSC889N03MSGATMA1
    BSC889N03MSGATMA1

    BSC889N03MSGATMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • BSC889N03MSGATMA1
    BSC889N03MSGATMA1

    BSC889N03MSGATMA1

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：曹先生/高先生/周小姐

    電話：134878658521852080514813760272017

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 94134

  • Infineon Technologies

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • BSC889N03MSGATMA1
    BSC889N03MSGATMA1

    BSC889N03MSGATMA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人：陳小姐

    電話：0755-8320801015711992892

    地址：都會軒3607

    資質：營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TDSON-8

  • 19+

  • -

  • 代理直銷！進口原裝正品！

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  • 1
BSC889N03MSGATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
BSC889N03MSGATMA1 技術參數
  • BSC889N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），45A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC886N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），65A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 15V 功率 - 最大值:39W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC884N03MS G 功能描述:MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:34V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），85A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC883N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:34V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Ta），98A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3200pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC883N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:34V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），98A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC9131NSN7KHKB BSC9131NXE7KHKB BSC9131NXN1KHKB BSC9131NXN7KHKB BSC9132NSE7KNKB BSC9132NSE7MNMB BSC9132NSN7KNKB BSC9132NSN7MNMB BSC9132NXE7KNKB BSC9132NXE7MNMB BSC9132NXN7KNKB BSC9132NXN7MNMB BS-COVER BSD-04BFFM-SL6A01 BSD-04BFFM-SL6A02 BSD-04BFFM-SL6A05 BSD-04BFFM-SL6A10 BSD-04BFFM-SR6A01
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