欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > B字母型號搜索 > B字母第1510頁 >

BSC9131NJE7HHHB

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSC9131NJE7HHHB
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
86655
NXP USA Inc.
520-FBGA, FCBGA
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BSC9131NJE7HHHB
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
14258
NXP / Freescale
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： BSC9131NJN1HHHB BSC9131NJN7HHHB BSC9131NLE7HHHB BSC9131NLN1HHHB BSC9131NSE7KHKB BSC9131NSN1KHKB BSC9131NSN7KHKB BSC9131NXE7KHKB BSC9131NXN1KHKB

BSC9131NJE7HHHB PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSC9131NJE7HHHB PDF下載

功能描述
QORIQ QONVERGE SOC 800MHZ STARC
制造商
nxp usa inc.
系列
*
零件狀態
在售
標準包裝
60

BSC9131NJE7HHHB 技術參數

BSC900N20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15.2A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 7.6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC900N20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 7.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC889N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta） 44A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.1 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC889N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），45A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC886N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），65A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 15V 功率 - 最大值:39W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC9131NXN7KHKB BSC9132NSE7KNKB BSC9132NSE7MNMB BSC9132NSN7KNKB BSC9132NSN7MNMB BSC9132NXE7KNKB BSC9132NXE7MNMB BSC9132NXN7KNKB BSC9132NXN7MNMB BS-COVER BSD-04BFFM-SL6A01 BSD-04BFFM-SL6A02 BSD-04BFFM-SL6A05 BSD-04BFFM-SL6A10 BSD-04BFFM-SR6A01 BSD-04BFFM-SR6A02 BSD-04BFFM-SR6A05 BSD-04BFFM-SR6A10