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BSD223P L6327

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批號
價格
說明
操作

BSD223P L6327
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
9250
INFINEON
SOT-363
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

BSD223P L6327
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSD223P L6327
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
74184
Infineon Technologies
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BSD223P L6327
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
638850
INFINEON
SOT-363
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

BSD223P L6327
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT363-6
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

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功能描述
MOSFET P-CH -20 V -.35 A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSD223P L6327 技術參數

BSD223P 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:390mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 BSD214SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BSD214SN L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 BSD-08BFFM-SR6A10 功能描述:STANDARD 制造商:amphenol ltw 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:10 BSD-08BFFM-SR6A05 功能描述:STANDARD 制造商:amphenol ltw 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:10 BSD340NH6327XTSA1 BSD816SNH6327XTSA1 BSD816SNL6327HTSA1 BSD840N L6327 BSD840NH6327XTSA1 BSE-020-01-C-D BSE-020-01-C-D-A BSE-020-01-C-D-A-TR BSE-020-01-C-D-LC BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D

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