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BSH108,125

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型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

BSH108,125
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
18500
NXP
SOT23
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

BSH108,125
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
TY/臺灣半導體
SOT23-3
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BSH108,125
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
NXP
SOT23
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現貨！

BSH108,125
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
638850
NXP
SOT23
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

BSH108,125
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
12500
nxp
sot23
2017+pb
-
原裝現貨

1/1頁 40條/頁共20條
1

您是不是要找： BSH108,215 BSH10-E BSH111,215 BSH111,235 BSH111BKR BSH112,235 BSH114,215 BSH-120-01-C-D-A BSH-120-01-C-D-A-TR

BSH108,125 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSH108,125 技術參數

BSH105,235 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.05A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:570mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:152pF @ 16V 功率 - 最大值:417mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:10,000 BSH105,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.05A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:570mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:152pF @ 16V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:417mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 600mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH103,235 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:850mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:400mV @ 1mA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:83pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH103,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:850mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:400mV @ 1mA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:83pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSH-100-01-L-D-DP-EM2 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包裝:管件零件狀態:在售連接器類型:差分對陣列，母針腳數:200 間距:0.020"（0.50mm）排數:2 安裝類型:板邊緣，跨騎式安裝特性:- 觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:10μin（0.25μm）接合堆疊高度:- 板上高度:- 標準包裝:500 BSH-120-01-C-D-LC-TR BSH-120-01-F-D BSH-120-01-F-D-A BSH-120-01-F-D-A-TR BSH-120-01-F-D-EM2 BSH-120-01-F-D-LC BSH-120-01-F-D-LC-TR BSH-120-01-F-D-TR BSH-120-01-H-D BSH-120-01-H-D-A BSH-120-01-H-D-A-TR BSH-120-01-H-D-EM2 BSH-120-01-H-D-LC BSH-120-01-H-D-LC-TR BSH-120-01-L-D BSH-120-01-L-D-A BSH-120-01-L-D-A-LC BSH-120-01-L-D-A-TR