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BSO204PNT

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  • BSO204PNTMA1
    BSO204PNTMA1

    BSO204PNTMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • BSO204PNTMA1
    BSO204PNTMA1

    BSO204PNTMA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • P-DSO-8

  • 19+

  • -
  • 代理直銷!進口原裝正品!

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
BSO204PNT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSO204PNT 技術參數
  • BSO203SPNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 9A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2265pF @ 15V 功率 - 最大值:2.35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO203SPHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):39nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3750pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.6W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 8.9A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:P-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標準包裝:1 BSO203SP H 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 8.9A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3750pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO203PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8.2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 8.2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):48.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2242pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO203PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 8.2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3750pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO301SP H BSO301SPHXUMA1 BSO301SPNTMA1 BSO303P H BSO303PHXUMA1 BSO303PNTMA1 BSO303SPHXUMA1 BSO303SPNTMA1 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822
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