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BSP030,115

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSP030,115
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
23019
Nexperia USA Inc.
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BSP030,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
SC-73
18+
-
MOSFET N-CH 30V 10A ...

BSP030,115
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
2520
NXP
N/A ㊣品
N/A 全新進口
-
NXP原裝特賣，數量隨時變化下單需確認！

BSP030,115
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
10000
PHA
SOT223
15+
-
原裝正品，價格優勢！

1/1頁 40條/頁共17條
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功能描述
MOSFET TAPE-7 MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSP030,115 技術參數

BSP 60 E6433 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.8V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:4,000 BSP 52 E6327 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.8V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP 51 E6327 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.8V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSO615NGHUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 2.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 基本零件編號:BSO615 標準包裝:1 BSO615N G 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 2.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135 BSP129E6327 BSP129E6327T BSP129H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1 BSP129L6327HTSA1 BSP129L6906HTSA1 BSP130,115 BSP135 E6327 BSP135 E6906 BSP135H6327XTSA1 BSP135H6433XTMA1 BSP135H6906XTSA1 BSP135L6327HTSA1 BSP135L6433HTMA1