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BSP129E6327T

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSP129E6327T
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
19500
INFINEON/英飛凌
SOT223
22+
-

BSP129E6327T
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSP129E6327T
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
25608
Infineon Technologies
TO-261-4, TO-261AA
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BSP129E6327T
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
250000
INFINE0N
SOT-223
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

BSP129E6327T
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT223-4
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

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BSP129E6327T PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
RoHS
否
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
SIPMOS®
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

BSP129E6327T 技術參數

BSP129E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 350mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP126,135 功能描述:MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:375mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 300mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP126,115 功能描述:MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:375mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 300mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP125L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP125L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP135H6906XTSA1 BSP135L6327HTSA1 BSP135L6433HTMA1 BSP135L6906HTSA1 BSP14-3K BSP149 E6327 BSP149 E6906 BSP149H6327XTSA1 BSP149H6906XTSA1 BSP149L6327HTSA1 BSP149L6906HTSA1 BSP16T1 BSP16T1G BSP170PE6327 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327