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BSP295E6327T

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSP295E6327T
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
23922
INFINEON/英飛凌
SOT223
22+
-

BSP295E6327T
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Infineon
SOT223
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

BSP295E6327T
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
64430
Infineon Technologies
TO-261-4, TO-261AA
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BSP295E6327T
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT223-4
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
SIPMOS®
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

BSP295E6327T 技術參數

BSP295E6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:368pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP254A,126 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:90pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BSP250,135 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:25nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 1A，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP250,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:25nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 1A，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP230,135 功能描述:MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:210mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.55V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 歐姆 @ 170mA，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP297H6327XTSA1 BSP297L6327HTSA1 BSP298 E6327 BSP298H6327XUSA1 BSP298L6327HUSA1 BSP299 E6327 BSP299H6327XUSA1 BSP299L6327HUSA1 BSP300 E6327 BSP300H6327XUSA1 BSP300L6327HUSA1 BSP304A,126 BSP31,115 BSP3-120 BSP3-120-LC BSP315P-E6327 BSP315PE6327T BSP315PH6327XTSA1