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BSP299L6327HUSA1

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

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    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 58297

  • Infineon Technologies

  • TO-261-4, TO-261AA

  • 25+

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  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • BSP299L6327HUSA1
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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

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    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-SOT223-4

  • 19+

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
BSP299L6327HUSA1 技術參數
  • BSP299H6327XUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):400mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 400mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP299 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):400mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 400mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP298L6327HUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP298H6327XUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP298 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP315PH6327XTSA1 BSP315PL6327HTSA1 BSP316PE6327 BSP316PE6327T BSP316PH6327XTSA1 BSP316PL6327HTSA1 BSP317PE6327 BSP317PE6327T BSP317PH6327XTSA1 BSP317PL6327HTSA1 BSP318S E6327 BSP318SH6327XTSA1 BSP318SL6327HTSA1 BSP32,115 BSP3-208/240 BSP3-208/240-LC BSP320S E6327 BSP320S E6433
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