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BSP-402

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSP-402
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
50000
OKITA
Standard
2025+
-
保證原裝現(xiàn)貨

BSP-402
深圳市特瑞斯科技有限公司
深圳市特瑞斯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8277481983249326
地址：銷售一部：華強北上步工業(yè)區(qū)501棟401室銷售二部：深圳市福田區(qū)紅荔路上航大廈411室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1160
OKITA
繼電器
20+
-
大量繼電器，現(xiàn)貨供應(yīng)！

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您是不是要找： BSP41,115 BSP43,115 BSP452 E6327 BSP452HUMA1 BSP50 BSP50,115 BSP50E6327HTSA1 BSP50H6327XTSA1 BSP51

BSP-402 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSP-402 技術(shù)參數(shù)

BSP373NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 218μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:265pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP373L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:550pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP373 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:550pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP372NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 218μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:329pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP372L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:310 毫歐 @ 1.7A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:520pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP51,115 BSP51H6327XTSA1 BSP52 BSP52,115 BSP52H6327XTSA1 BSP52T1 BSP52T1G BSP52T3 BSP52T3G BSP60,115 BSP603S2LHUMA1 BSP60E6327HTSA1 BSP60H6327XTSA1 BSP61,115 BSP612PH6327XTSA1 BSP613P BSP613PH6327XTSA1 BSP613PL6327HUSA1