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BSP61H6327XT

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  • BSP61H6327XTSA1
    BSP61H6327XTSA1

    BSP61H6327XTSA1

  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓

  • 250

  • INFINEON

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  • BSP61H6327XTSA1
    BSP61H6327XTSA1

    BSP61H6327XTSA1

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 250

  • INFINEON

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  • 24+

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  • 晶體管

  • BSP61H6327XTSA1
    BSP61H6327XTSA1

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  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 73554

  • INFINEON/英飛凌

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  • 18萬條庫存,一站式配齊

  • BSP61H6327XTSA1
    BSP61H6327XTSA1

    BSP61H6327XTSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

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  • BSP61H6327XTSA1
    BSP61H6327XTSA1

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • INFINEON

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  • BSP61H6327XTSA1
    BSP61H6327XTSA1

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  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

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    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 2000

  • INFINEON

  • 價格優勢

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BSP61H6327XT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • AF TRANSISTORS
BSP61H6327XT 技術參數
  • BSP61E6327HTSA1 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.8V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP615S2LHUMA1 功能描述:MOSFET SOT223-4 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:最後搶購 標準包裝:1,000 BSP615S2L 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 1.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):330pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP613PL6327HUSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 2.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):875pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP613PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 2.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):875pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP742T BSP742TXUMA1 BSP752R BSP752RXUMA2 BSP752T BSP752TXUMA1 BSP75GQTA BSP75GQTC BSP75GTA BSP75NHUMA1 BSP75NNT BSP75NQTA BSP75NTA BSP76 E6327 BSP762T BSP762TXUMA1 BSP76E6433HUMA1 BSP76E6433NT
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