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BSS126H6906XT

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數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

BSS126H6906XTSA1
優勢
東莞鼎岑科技有限公司
東莞鼎岑科技有限公司
聯系人：莫
電話：18925581989
地址：廣東省東莞市塘廈鎮林村大道445號北鉅業大夏319室
6000
INFINEON
-

BSS126H6906XTSA1
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
3297
INFINEON
con
24+
-
場效應管

BSS126H6906XTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSS126H6906XTSA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
3297
INFINEON
con
24+
-
場效應管

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1

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23

BSS126H6906XT 技術參數

BSS126H6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS126H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:28pF @ 25V FET 功能:耗盡模式功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:3,000 BSS126 H6906 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS126 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS126 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS127SSN-7 BSS131 H6327 BSS131E6327 BSS131H6327XTSA1 BSS131L6327HTSA1 BSS138 BSS138_D87Z BSS138_F085 BSS138_L99Z BSS138-7 BSS138-7-F BSS138AKA/LF1R BSS138AKAR BSS138BK,215 BSS138BKS,115 BSS138BKVL BSS138BKW,115 BSS138BKW-BX