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BSZ0503NSIATMA1

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSZ0503NSIATMA1
    BSZ0503NSIATMA1

    BSZ0503NSIATMA1

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 130000

  • INFINEON/英飛凌

  • NA

  • 23+

  • -
  • 18萬條庫存,一站式配齊

  • BSZ0503NSIATMA1
    BSZ0503NSIATMA1

    BSZ0503NSIATMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 328737

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • BSZ0503NSIATMA1
    BSZ0503NSIATMA1

    BSZ0503NSIATMA1

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 0

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 晶體管

  • BSZ0503NSIATMA1
    BSZ0503NSIATMA1

    BSZ0503NSIATMA1

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 328737

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • BSZ0503NSIATMA1
    BSZ0503NSIATMA1

    BSZ0503NSIATMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:中國上海

  • 328737

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 優勢庫存,原裝正品

  • BSZ0503NSIATMA1
    BSZ0503NSIATMA1

    BSZ0503NSIATMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

  • 328737

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 優勢庫存,原裝正品

  • BSZ0503NSIATMA1
    BSZ0503NSIATMA1

    BSZ0503NSIATMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 328737

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • BSZ0503NSIATMA1
    BSZ0503NSIATMA1

    BSZ0503NSIATMA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TSDSON-8-FL(3.3x3

  • 19+

  • -
  • 代理直銷!進口原裝正品!

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSZ0503NSIATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 20A(Ta),40A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 3.4 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 20nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 1300pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 2.1W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝
  • PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3)
  • 標準包裝
  • 5,000
BSZ0503NSIATMA1 技術參數
  • BSZ0502NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1600pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標準包裝:5,000 BSZ0501NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):25A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2000pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標準包裝:5,000 BSZ0500NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3400pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標準包裝:5,000 BSZ042N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):17A(Ta),40A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 36μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):27nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ042N06NS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):17A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 36μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2000pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ065N03LS BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ067N06LS3 G BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ068N06NSATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ086P03NS3 G BSZ086P03NS3E G BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 BSZ0901NS BSZ0901NSATMA1
配單專家

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