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BSZ340N08NS3GATMA1

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BSZ340N08NS3GATMA1
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地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質：營業執照
40226
22+
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原裝原廠現貨

BSZ340N08NS3GATMA1
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4400
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TSDSON-8
2211+
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全新原裝無鉛

BSZ340N08NS3GATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
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聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
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con
24+
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優勢庫存，原裝正品

BSZ340N08NS3GATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
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聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
994
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24+
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場效應管

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
329437
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24+
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BSZ340N08NS3GATMA1
北京天陽誠業科貿有限公司
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聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
994
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場效應管

BSZ340N08NS3GATMA1
天陽誠業科貿有限公司
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聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
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一級代理.原裝特價現貨！

BSZ340N08NS3GATMA1 IC
深圳市湘達電子有限公司
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聯系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室
8000
INFINEON/英飛凌
PG-TSDSON-8
21+
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代理渠道假一賠十，全網最低價。

BSZ340N08NS3GATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
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聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
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優勢庫存，原裝正品

BSZ340N08NS3GATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
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聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
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現貨常備京北通宇商城可查價格

BSZ340N08NS3GATMA1
深圳市毅創輝電子科技有限公司
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聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
INFINEON
1521+
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全新原裝現貨

BSZ340N08NS3GATMA1
科創特電子（香港）有限公司
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聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
5000
INFINEON
價格優勢
2449
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全新原裝渠道現貨

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8

BSZ340N08NS3GATMA1 技術參數

BSZ340N08NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta），23A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:630pF @ 40V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ240N12NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:37A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:27nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 60V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:66W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ240N12NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:37A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 60V 功率 - 最大值:66W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ22DN20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:430pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:34W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:225 毫歐 @ 3.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P BT-01-50M BT-02-50M BT05-2A66 BT-1 BT1.5I-C BT1.5I-C0 BT1.5I-M BT1.5I-M0 BT1.5I-M1 BT1.5I-M10 BT1.5I-M2 BT1.5I-M3 BT1.5I-M30 BT1.5I-M300 BT1.5I-M39