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BT.

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BT.6A
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
2000
FACOM
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

BT.6A
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
2000
FACOM
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

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1

您是不是要找： BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P BT-01-50M BT-02-50M BT05-2A66 BT-1 BT1.5I-C BT1.5I-C0 BT1.5I-M

BT. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BT. 技術參數

BSZ900N20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15.2A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 7.6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ900N20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 7.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ900N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:510pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:38W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ900N15NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:510pF @ 75V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ520N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:890pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:57W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 18A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BT1.5I-M0 BT1.5I-M1 BT1.5I-M10 BT1.5I-M2 BT1.5I-M3 BT1.5I-M30 BT1.5I-M300 BT1.5I-M39 BT1.5I-M4 BT1.5I-M4Y BT1.5I-M5 BT1.5I-M6 BT1.5I-M7 BT1.5I-M8 BT1.5M-C BT1.5M-C0 BT1.5M-M BT1.5M-M0