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BZX55C6V8-TAP64

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BZX55C6V8-TAP64 技術參數
  • BZX55C6V8-TAP 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C6V8_T50R 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C6V8_T50A 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C6V8_T26A 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C6V8 A0G 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C7V5-TR BZX55C8V2 BZX55C8V2 A0G BZX55C8V2_T50A BZX55C8V2_T50R BZX55C8V2-TAP BZX55C8V2-TR BZX55C9V1 BZX55C9V1 A0G BZX55C9V1_T26A BZX55C9V1_T50A BZX55C9V1_T50R BZX55C9V1-TAP BZX55C9V1-TR BZX55F10-TAP BZX55F11-TR BZX55F12-TAP BZX55F12-TR
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