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BSS127

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供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSS127
深圳市軒盛達電子有限公司
深圳市軒盛達電子有限公司
聯系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現貨，代找緊缺料

BSS127
北京力通科信電子有限公司
北京力通科信電子有限公司
聯系人：韓小姐
電話：13661385246
地址：北京市海淀區知春路118號知春大廈B座1504室，新中發電子市場B1303-b1305柜臺
3000
英飛凌
SOT-23
18+
-
原裝現貨13661385246

BSS127H6327
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區新安街道翻身路117號富源商貿中心D棟601
38475
INF
ORIGONAL
16+
-
0.04248 USD,szpoweri...

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BSS127 PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-Channel 600V 0.021A Logic SOT23

BSS127 技術參數

BSS126L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS126L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS126H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:28pF @ 25V FET 功能:耗盡模式功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS126H6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS126H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:28pF @ 25V FET 功能:耗盡模式功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:3,000 BSS131H6327XTSA1 BSS131L6327HTSA1 BSS138 BSS138_D87Z BSS138_F085 BSS138_L99Z BSS138-7 BSS138-7-F BSS138AKA/LF1R BSS138AKAR BSS138BK,215 BSS138BKS,115 BSS138BKVL BSS138BKW,115 BSS138BKW-BX BSS138-D87Z BSS138DW-7 BSS138DW-7-F