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參數資料
型號: BAW56W
廠商: 美麗微半導體有限公司
英文描述: Dual Series Switching Diode - Silicon epitaxial planar type
中文描述: 雙系列開關二極管-硅外延平面型
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 100K
代理商: BAW56W
Dual Series Switching Diode
BAL99W
BAW56W
BAV70W
BAV99W
Silicon epitaxial planar type
Features
Small surface mounting type
High reliability
High speed ( t
rr
< 1.5 ns )
Mechanical data
Case : SOT-323
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Mounting Position : Any
MAXIMUM RATINGS
(AT T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
CONDITIONS
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
70
V
Reverse voltage
V
R
70
V
Peak forward surge current
t
p
= 1 us
I
FSM
2.0
A
Repetitive peak forward current
I
FRM
450
mA
Forward current
I
F
215
mA
Average forward current
V
R
= 0
I
FAV
715
mA
Power dissipation
P
D
225
mW
Junction temperature
T
j
175
o
C
Storage temperature
T
STG
-55
+150
o
C
Formosa MS
SOT-323
Dimensions in inches and (millimeters)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(AT T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
CONDITIONS
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
F
= 10mA
V
F
0.855
V
I
F
= 150mA
V
F
1.250
V
V
R
= 70V
I
R
2.5
uA
V
R
= 20V , T
j
= 150
o
C
I
R
30
uA
V
R
= 70V , T
j
= 150
o
C
I
R
50
uA
Breakdown current
I
R
= 100uA , T
P
/T = 0.01 T
P
= 0.3ms
V
(BR)
70
V
Diode capacitance
V
R
= 0 , f = 1MHz , V
HF
= 50mV
C
D
1.5
pF
Reverse recovery time
I
F
=10mA, V
R
= 10mA, I
RR
= 0.1 X I
R
, R
L
=100
OHM
t
rr
6
ns
Forward voltage
Reverse current
0.031 (0.80)
0.043 (1.10)
R 0.05
(0.002)
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.089 (2.30)
0.079 (2.00)
0.017 (0.43)
MIN
(A)
(B)
(C)
0.087 (2.20)
0.071 (1.80)
.051(1.30)
MIN
0.026 (0.70)
MIN.
0.016 (0.40)
0.012 (0.30)
SINGLE(Alt)
COMMON ANODE
COMMON CATHODE
BAL99W
BAW56W
BAV70W
SERIES
BAV99W
0.0010 (0.25)
0.0004 (0.10)
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PDF描述
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