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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BAW75 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Diode |
| 中文描述： | 硅外延平面二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | BAW75 |
BAW75
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
1 (3)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85550
Silicon Epitaxial Planar Diode
Applications
Extreme fast switches
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Forward current
Average forward current
Power dissipation
Test Conditions
Type
Symbol
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
V
P
V
T
j
T
stg
Value
35
25
2000
450
300
150
440
500
200
–65...+200
Unit
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
mW
C
C
t
p
=1 s
V
R
=0
l=4mm, T
L
=45 C
l=4mm, T
L
25 C
Junction temperature
Storage temperature range
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
350
Unit
K/W
l=4mm, T
L
=constant
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