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參數資料
| 型號： | BC307 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進步黨硅外延平面晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 429K |
| 代理商： | BC307 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC307B | PNP general purpose transistors |
| BC415C | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| BC415A | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| BC416A | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92 |
| BC416B | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC307/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor PNP |
| BC307_98 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE |
| BC307_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC307_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -45V -100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC307-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | TO-92 |
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