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參數資料

相關PDF資料	PDF描述
BC317	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
BC351	PNP SILICON TRANSISTOR
BC368	NPN medium power transistor
BC368	COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
BC368-10	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92

相關代理商/技術參數	參數描述
BC318	制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC318A	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92
BC318B	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92
BC318C	功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 150mA RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC318C_Q	功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 150mA RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

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