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參數資料
| 型號： | BC368 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 互補硅外延晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | BC368 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Feb 28
1999 Apr 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC368
NPN medium power transistor
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC368-10 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BC368-16 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BC368-25 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BC859W | High Speed CMOS Logic Quad Bilateral Switches 14-PDIP -55 to 125 |
| BC859W | High Speed CMOS Logic Quad Bilateral Switches 14-SOIC -55 to 125 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC368 AMO | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC368,112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC368,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC368/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor NPN |
| BC368_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Voltage and Current are Negative |
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