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參數資料
| 型號： | BC327-25ZL1 |
| 英文描述： | MAX 7000 CPLD 64 MC 100-TQFP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | BC327-25ZL1 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 10
1999 Apr 15
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC327
PNP general purpose transistor
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC327-40 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC327 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC327-16 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC327-25 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC327 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC327-25ZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC32740 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| BC327-40 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC327-40 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC327-40,112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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