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參數資料
| 型號： | BC413C |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 429K |
| 代理商： | BC413C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC414B | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| BC414C | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| BC307BRL1 | Stratix II FPGA 30K FBGA-672 |
| BC307BZL1 | Stratix FPGA 30K FBGA-780 |
| BC307VI | IC FLEX 10K FPGA 10K 144-TQFP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC413P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC413PSTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC413PSTOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC413PSTZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC414 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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