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參數資料
| 型號： | BC307BZL1 |
| 英文描述： | Stratix FPGA 30K FBGA-780 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 429K |
| 代理商： | BC307BZL1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC307VI | IC FLEX 10K FPGA 10K 144-TQFP |
| BC308VI | CPLD, MAX 7000, 64 MACROCELLS, TQFP100; Logic IC family:CPLD (EPLD); Logic IC Base Number:7064; Logic IC function:EPM7064S; Voltage, supply:5V; Case style:TQFP; Gates, No. of:1250; I/O lines, No. of:68; Macrocells, No. of:64; Pins, RoHS Compliant: Yes |
| BC307 | PNP general purpose transistors |
| BC307 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| BC307B | PNP general purpose transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC307BZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC307C | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC307CBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -45V -100mA HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC307CG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC307CZL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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