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參數(shù)資料
| 型號： | BC516 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 互補硅平面外延達林頓晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | BC516 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC517RL1 | 8Gb Mass Storage - OBSOLETE |
| BC517S | NAND Flash Memory; Density: 8Gb; Organization: 1Gbx8; Bits/Cell: MLC; I/O: Common; Supply Voltage: 3.3V; Operating Temperature Range: 0° to +70°C; Package: 48-TSOP |
| BC517ZL1 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BC517 | COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
| BC517 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC516,126 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PROD.BC516 (SOT54) CFM EOL311208 |
| BC516 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-92 |
| BC516 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Darlington Bipolar Transistor Transistor |
| BC516_D27Z | 功能描述:達林頓晶體管 PNP DAR -30V -1A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BC516_D74Z | 功能描述:達林頓晶體管 PNP DAR -30V -1A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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