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參數資料
| 型號： | BC548BAMO |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | BC548BAMO |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC550C | NPN general purpose transistors |
| BC547 | NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC547B | NPN general purpose transistors |
| BC548CAMO | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| BC548VI | A0533295, MEMORY, IC, SDRAM-DDR, 2 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC548B-AP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo |
| BC548B-BP | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW |
| BC548BBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/450 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC548BG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC548BRL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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