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參數資料
| 型號： | BC556B |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW |
| 中文描述： | 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | BC556B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC557 | PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW |
| BC557A | PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW |
| BC557C | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC558 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC558A | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC556B T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC556B,112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK DLT PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC556B,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC556B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
| BC556B/D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors |
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