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參數(shù)資料
| 型號： | BC558VI |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | BC558VI |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC557C | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC558 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC556 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC556A | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC556B | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC558-X-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
| BC558-X-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
| BC558ZL1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors |
| BC558サ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON TRANSISTORS |
| BC559 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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