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參數資料
| 型號： | BC637 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN medium power transistors |
| 中文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | BC637 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 12
1999 Apr 23
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC635; BC637; BC639
NPN medium power transistors
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC639 | NPN medium power transistors |
| BC637 | COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| BC637-16 | NPN medium power transistors |
| BC639-10 | NPN medium power transistors |
| BC639-16 | NPN medium power transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC637 WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| BC637 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
| BC637_01 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE |
| BC637_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors |
| BC637_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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