型號: | BC818-40 |
廠商: | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
中文描述: | 800 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數: | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 80K |
代理商: | BC818-40 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BC817-25 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BC817-40 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BY296 | Fast Silicon Rectifiers |
BUX53 | Bipolar NPN Device |
BUX54 | NPN SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BC818-40/E8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
BC818-40/E9 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
BC818-40L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
BC818-40LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC818-40LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |