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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC850W |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 中文描述： | 表面貼裝硅外延PlanarTransistors |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | BC850W |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jun 20
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC849W; BC850W
NPN general purpose transistors
book, halfpage
M3D102
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC849 | NPN general purpose transistor |
| BC850 | NPN general purpose transistors |
| BC850 | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
| BC850B-2FZ | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
| BC850C-Z2G | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC850WT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | TO-236VAR |
| BC850-X-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
| BC850-X-AL3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
| BC850-X-AN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
| BC856 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Ep Trans PNP,0.1A,65V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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