型號: | BC856BT |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | PNP general purpose transistors |
中文描述: | PNP通用型晶體管 |
封裝: | BC856AT<SOT416 (SC-75)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT416.html<1<week 17, 2003,;BC856BT<SOT416 (SC-75)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT416.html<1<week 17, 2003,; |
文件頁數: | 1/9頁 |
文件大小: | 147K |
代理商: | BC856BT |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BC856UF | PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application) |
BC856W | PNP general purpose transistors |
BC857W | PNP general purpose transistors |
BC856 | General Purpose Transistor PNP Silicon(-65V通用型硅PNP晶體管) |
BC856 | Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管(PNP)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BC856BT T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC856BT TR | 功能描述:TRANS PNP 80V SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 |
BC856BT,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC856BT115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
BC856BTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |