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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC856BWQ62702-C2292 |
| 英文描述： | TRANSISTOR SOT-323 |
| 中文描述： | 晶體管的SOT - 323 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | BC856BWQ62702-C2292 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC856CLT1 | PNP Silicon General Purpose Transistors |
| BC856ETC | |
| BC857BL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BC857B-MR | TRANSISTOR BC857B MINIREEL 500PCS |
| BC857BR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC856BWT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC856BWT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC856B-Z3B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
| BC856C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching and Amplifier Applications |
| BC856-C-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
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