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參數資料
| 型號： | BC856W-B |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | BC856W-B |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC857AL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BC857AR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| BC857W-A | BJT |
| BC857W-B | BJT |
| BC857W-C | BJT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC856W-BC860W | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) |
| BC856WT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
| BC856-X-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
| BC856-X-AL3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
| BC857 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Ep Trans PNP,0.1A,45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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