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參數資料
| 型號： | BC857A.B |
| 元件分類： | 圖像傳感器 |
| 英文描述： | CMOS Image Sensor |
| 中文描述： | CMOS圖像傳感器 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | BC857A.B |
(SPEC-A32)
607
Transistors
BC857B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC857BTT1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| BC857BWQ62702C2294 | TRANSISTOR SOT323 |
| BC857CWQ62702C2295 | TRANSISTOR SOT323 |
| BC857CWT1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
| BC857 | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC857AE6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BC857AE6327HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR PNP AF 45V SOT-23 |
| BC857AF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistors |
| BC857AF,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857A-GS08 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Switching/AF Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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