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參數資料
| 型號： | BC857CT-7 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | BC857CT-7 |
DS30275 Rev. 2 - 2
1 of 2
BC857AT, BT, CT
BC857AT, BT, CT
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Notes:
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout
document AP02001, which can be found on ourwebsite at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Collector-Base Voltage
V
CBO
-50
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-45
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5.0
V
Collector Current
I
C
-100
mA
Power Dissipation (Note 1)
P
d
150
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
R
JA
833
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
, T
STG
-55 to +150
°C
Type
Marking
BC857AT
3V
BC857BT
3W
BC857CT
3G
Maximum Ratings
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Features
Epitaxial Die Construction
Complementary NPN Types Available
(BC847AT, BT, CT)
Ultra-Small Surface Mount Package
Mechanical Data
Case: SOT-523, Molded Plastic
Case material -UL Flammability Rating
Classification 94V-0
Moisture sensitivity: Level 1 perJ-STD-020A
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Weight: 0.002 grams (approx.)
Marking Codes (See Table Below & Diagrams
on Page 2)
Ordering & Date Code Information: See Page 2
N
SOT-523
Dim
Min
Max
Typ
A
0.15
0.30
0.22
B
0.75
0.85
0.80
C
1.45
1.75
1.60
D
0.50
G
0.90
1.10
1.00
H
1.50
1.70
1.60
J
0.00
0.10
0.05
K
0.60
0.80
0.75
L
0.10
0.30
0.22
M
0.10
0.20
0.12
N
0.45
0.65
0.50
0
8
All Dimensions in mm
A
M
J
L
D
B C
H
K
G
TOP VIEW
C
E
B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC857U | High Speed CMOS Logic 4-Bit by 16-Word FIFO Register 16-PDIP -55 to 125 |
| BC858BDW1T1 | Dual General Purpose Transistors(PNP Duals) |
| BC856BDW1T1 | Dual General Purpose Transistors(PNP Duals) |
| BC857CDW1T1 | Dual General Purpose Transistors(PNP Duals) |
| BC858CDW1T1 | Dual General Purpose Transistors(PNP Duals) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC857CT-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857CTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857CTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857C-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -50V -100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857CTT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor PNP Silicon |
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