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參數(shù)資料
| 型號： | BC857T |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PNP general purpose transistor(PNP通用型晶體管) |
| 中文描述： | 通用晶體管進(jìn)步黨（民進(jìn)黨通用型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | BC857T |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jul 07
1999 Apr 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC856T; BC857T
PNP general purpose transistors
M3D173
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC856T | PNP general purpose transistors |
| BC858AF | PNP general purpose transistors |
| BC858BF | PNP general purpose transistors |
| BC858CF | PNP general purpose transistors |
| BC857CF | High Speed CMOS Logic Dual 4-Stage Binary Counter 14-SOIC -55 to 125 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC857-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.1A 45V LN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857T T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857T,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA |
| BC857U | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:General purpose application |
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