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參數資料
| 型號： | BC858CR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至236 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | BC858CR |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC858W-A | FUSE, 7 AMP SM FUSE+ FUSEHOLDER |
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| BC858W-C | FUSE HLDR 1A50 125V W/FUSE |
| BC859AR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| BC860CR | POWER JACK DC 2.5MM CHASSIS MOUNT SHIELDED |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC858CRTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858CRTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858CTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858CTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858CW | 制造商:Siemens 功能描述:100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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