- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369429 > BC859AR TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BC859AR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至236 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 186K |
| 代理商： | BC859AR |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC860CR | POWER JACK DC 2.5MM CHASSIS MOUNT SHIELDED |
| BC860BR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| BC856AL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BC856W-A | BJT |
| BC856W-B | BJT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC859ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC859ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC859AW RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC859B _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BC859B,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。