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參數資料
| 型號： | BC860 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP general purpose transistors |
| 中文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | BC860 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1998 Jul 16
1999 May 28
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC859; BC860
PNP general purpose transistors
book, halfpage
M3D088
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC860BWQ62702C2302 | Leaded Cartridge Fuse; Current Rating:10mA; Voltage Rating:125V; Fuse Terminals:Radial Lead; Fuse Type:Fast Acting; Voltage Rating:125V; Body Material:Plastic Cap; Diameter:6.35mm; Leaded Process Compatible:No; Length:8.89mm |
| BC860 | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
| BC860 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC860B | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC860C | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC860A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching and Amplifier Applications |
| BC860AL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BC860AMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC860AMTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC860AR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
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