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參數資料
| 型號： | BCP52-10 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 中文描述： | 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | BCP52-10 |
1.
Product profile
1.1 General description
PNP medium power transistor series.
[1]
Valid for all available selection groups.
1.2 Features
I
High current
I
Two current gain selections
I
High power dissipation capability
1.3 Applications
I
Linear voltage regulators
I
High-side switches
I
MOSFET drivers
I
Amplifiers
1.4 Quick reference data
BCP52; BCX52
60 V, 1 A PNP medium power transistors
Rev. 08 — 25 February 2008
Product data sheet
Table 1.
Type number
[1]
Product overview
Package
NXP
SOT223
SOT89
NPN complement
JEITA
SC-73
SC-62
JEDEC
-
TO-243
BCP52
BCX52
BCP55
BCX55
Table 2.
Symbol
V
CEO
I
C
I
CM
h
FE
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current
peak collector current
DC current gain
Conditions
open base
Min
-
-
-
63
Typ
-
-
-
-
Max
60
1
1.5
250
Unit
V
A
A
single pulse; t
p
≤
1 ms
V
CE
=
2 V;
I
C
=
150 mA
V
CE
=
2 V;
I
C
=
150 mA
V
CE
=
2 V;
I
C
=
150 mA
h
FE
selection -10
63
-
160
h
FE
selection -16
100
-
250
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCP52-16 | |
| BCX52 | |
| BCX52-10 | |
| BCX52-16 | |
| BCP54 | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCP52-10 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP52-10,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP52-10E6327 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| BCP5210E6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| BCP5210TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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