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參數資料
| 型號： | BCP56-10 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | BCP56-10 |
SOT223 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 AUGUST 1995
%
FEATURES
*
Suitable for AF drivers and output stages
*
High collector current and Low V
CE(sat)
COMPLEMENTARY TYPE
BCP53
PARTMARKING DETAILS
BCP56
BCP56 10
BCP56 16
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
100
V
Collector-Emitter Voltage
80
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
1.5
A
Continuous Collector Current
1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
2
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
100
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
80
V
I
C
= 10mA *
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=10
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
20
nA
μ
A
V
CB
=30V
V
CB
=30V, T
amb
=150°C
Emitter Cut-Off Current I
EBO
10
μ
A
V
EB
=5V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.5
V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
1.0
V
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
BCP56-10
BCP56-16
40
25
63
100
100
160
250
160
250
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
Transition Frequency
f
T
125
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V,
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
BCP56
C
C
E
B
3 - 18
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCP56-16 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BCP56 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCR08AM14 | TRIAC|700V V(DRM)|800MA I(T)RMS|TO-92 |
| BCR08AS8 | TRIAC|400V V(DRM)|800MA I(T)RMS|SOT-89 |
| BCR08AS-8 | LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCP56-10 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP56-10 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP56-10,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP56-10,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP56-10115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR MEDIUM POWER NPN 8 |
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