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參數資料
| 型號： | BCV26 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | Darlington Transistor(達林頓晶體管) |
| 中文描述： | 達林頓晶體管（達林頓晶體管） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | BCV26 |
FEATURES
Darlington Transistor
Dimensions in inches and (millimeters)
3
.016 (0.4)
)
.037(0.95).037(0.95)
m
.122 (3.1)
.118 (3.0)
.016 (0.4)
.016 (0.4)
3
1
2
Top View
.102 (2.6)
.094 (2.4)
.
.
)
.
.
Case:
SOT-23 Plastic Package
Weight:
approx. 0.008 g
Marking
FD
MECHANICAL DATA
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C
ambient temperature unless otherwise specified
Pin configuration
1 = Base
2 = Emitter
3 = Collector
SOT-23
2
1
4/98
BCV26
Symbol
Value
Unit
Collector-Emitter Voltage
–V
CEO
30
V
Collector-Base Voltage
–V
CBO
40
V
Emitter-Base Voltage
–V
EBO
10
V
Collector Current
–I
C
300
mA
Peak Collector Current
–I
CM
800
mA
Base Current
–I
B
100
mA
Power Dissipation at T
SB
= 50 °C
P
tot
300
1)
mW
Junction Temperature
T
j
150
°C
Storage Temperature Range
T
S
–65 to +150
°C
1)
Device on fiberglass substrate, see layout
High collector current
High current gain
PNP Silicon Planar Darlington Transistor
for general NF applications
As complementary type, the NPN transis-
tor BCV27 is recommended.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCV26 | PNP Darlington transistors |
| BCV46 | PNP Darlington transistors |
| BCV27 | Darlington Transistor(達林頓晶體管) |
| BCV27 | NPN Darlington transistors |
| BCV47 | NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCV26 /T3 | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE-11 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BCV26 T/R | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE-7 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BCV26,215 | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BCV26,235 | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BCV26 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 |
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