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參數資料
| 型號： | BCV47 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS |
| 中文描述： | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | BCV47 |
SOT23 NPN SILICON PLANAR
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 3 SEPTEMBER 1995
%
FEATURES
*
High V
CEO
*
Low saturation voltage
COMPLEMENTARY TYPES BCV27 BCV28
BCV47 BCV48
PARTMARKING DETAILS
BCV27 ZFF
BCV47 ZFG
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
BCV27
BCV47
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
40
80
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
30
60
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
10
V
Peak Pulse Current
I
CM
800
mA
Continuous Collector Current
I
C
500
mA
Base Current
I
B
100
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
BCV27
MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
10
BCV47
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
80
MAX.
V
(BR)CBO
40
V
I
C
=100
μ
A
V
(BR)CEO
30
60
V
I
C
=10mA*
V
(BR)EBO
10
10
V
I
E
=10
μ
A
I
CBO
100
100
10
100
nA
nA
μ
A
μ
A
nA
V
CB
= 30V
V
CB
= 60V
V
CB
=30V,T
amb
=150
o
C
V
CB
=60V,T
amb
=150
o
C
V
EB
=4V
Emitter Base
Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
I
EBO
100
V
CE(sat)
1.0
1.0
V
I
C
=100mA,I
B
=0.1mA*
V
BE(sat)
1.5
1.5
V
I
C
=100mA,I
B
=0.1mA*
h
FE
4K
10K
20K
4K
170 Typical
2K
4K
10K
2K
170 Typical
I
C
=100
μ
A, V
CE
=1V
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
I
=50mA, V
CE
=5V
f = 20MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
Transition Frequency
f
T
MHz
Output Capacitance
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Periodic Sample Test Only. For typical graphs see FMMT38A datasheet
C
obo
3.5 Typical
3.5 Typical
pF
BCV27
BCV47
C
B
E
SOT23
3 - 22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCV47 | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
| BCV47 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCV61A | NPN general-purpose double transistors |
| BCV61B | NPN general-purpose double transistors |
| BCV62A | PNP general-purpose double transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCV47 /T3 | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE-11 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BCV47 T/R | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE-7 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BCV47 TR | 功能描述:TRANS NPN 80V SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:220MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 |
| BCV47,215 | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BCV47,235 | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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