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參數資料
型號: BCW60RB
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 32V的五(巴西)總裁| 200mA的一(c)|至236
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 101K
代理商: BCW60RB
相關PDF資料
PDF描述
BCW60RD TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW60SERIES NPN general purpose transistors
BCX70RH TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW60AL TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
BCW60BL THERMISTOR PTC 15V .25A RESETABL
相關代理商/技術參數
參數描述
BCW60RC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW60RD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW60SERIES 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN general purpose transistors
BCW61 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Transistors (PNP)
BCW61A 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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