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參數資料
| 型號： | BCW60RD |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 32V的五（巴西）總裁| 200mA的一（c）|至236 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | BCW60RD |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW60SERIES | NPN general purpose transistors |
| BCX70RH | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
| BCW60AL | TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
| BCW60BL | THERMISTOR PTC 15V .25A RESETABL |
| BCW60 | NPN general purpose transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCW60SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN general purpose transistors |
| BCW61 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Transistors (PNP) |
| BCW61A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW61A/E8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BCW61A/E9 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
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